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Vishay SiHG30N60E-GE3 MOSFET

訂貨號(hào)：SiHG30N60E-GE3 品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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N 通道 MOSFET，E 系列，低品質(zhì)因數(shù)，Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 電源是高電壓晶體管，具有超低最大接通電阻、低靈敏值和快速切換功能。它們提供各種電流額定值。典型應(yīng)用包括服務(wù)器和電信電源、LED 照明、回掃轉(zhuǎn)換器、功率因數(shù)校正 (PFC) 和開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)。

特點(diǎn)

低靈敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低輸入電容 (Ciss)
低接通電阻（RDS（接通））
超低柵極電荷 (Qg)
快速切換
減少切換和傳導(dǎo)損耗

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor

屬性	數(shù)值
通道類(lèi)型	N
最大連續(xù)漏極電流	29 A
最大漏源電壓	600 V
封裝類(lèi)型	TO-247AC
安裝類(lèi)型	通孔
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	125 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	2V
最大功率耗散	250 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長(zhǎng)度	15.87mm
最高工作溫度	+150 °C
典型柵極電荷@Vgs	85 nC @ 10 V
晶體管材料	Si
寬度	5.31mm
每片芯片元件數(shù)目	1

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