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產(chǎn)品分類
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Infineon IRF1010EPBF MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRF1010EPBF      品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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Infineon IRF1010EPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，Infineon

Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)問(wèn)題。 在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 84 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 TO-220AB
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 12 MΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 200 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
長(zhǎng)度 10.54mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 130 nC @ 10 V
寬度 4.69mm
暫無(wú)

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