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Infineon IRL2910SPBF MOSFET

訂貨號：IRL2910SPBF 品牌：國際整流器_IR

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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N 通道功率 MOSFET 100V，Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。在整個范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

Infineon 100V 單 N 溝道 IR MOSFET 采用 D2-Pak 封裝。D2Pak 是表面安裝功率封裝，能夠適應(yīng)高達六角 -4 的模具尺寸。在任何現(xiàn)有表面安裝封裝中，它提供最高功率能力和盡可能低的接通電阻。

Advanced 工藝技術(shù)
超低接通電阻
動態(tài) dv/dt 額定值
快速切換
完全耐雪崩等級

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	55 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	26 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	2V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	3.8 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-16 V、+16 V
晶體管材料	Si
典型柵極電荷@Vgs	140 nC @ 5 V
每片芯片元件數(shù)目	1
長度	10.67mm
最高工作溫度	+175 °C
寬度	9.65mm

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