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onsemi FDS6930B MOSFET

訂 貨 號:FDS6930B      品牌:安森美_Onsemi

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

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onsemi FDS6930B MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

PowerTrench? 雙 N 通道 MOSFET,F(xiàn)airchild Semiconductor

SEMis PowerTrench ? MOSFET 是優(yōu)化的電源開關(guān),可提高系統(tǒng)效率和功率密度。它們結(jié)合了小柵電荷,小反向恢復(fù)和軟反向恢復(fù)主體二極管,有助于在交流 / 直流電源中快速切換同步整流。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管,半

在半自動模式下, MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大,包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸,其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性,從降低的電壓峰值和過沖,到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷,以及消除額外的外部組件,從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 5.5 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 38 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2 W
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 2
最高工作溫度 +150 °C
典型柵極電荷@Vgs 2.7 nC @ 5 V
晶體管材料 Si
長度 5mm
寬度 4mm
暫無

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