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Vishay SQD19P06-60L_GE3 MOSFET

訂 貨 號：SQD19P06-60L_GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數量：10             品牌屬性：進口

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Vishay SQD19P06-60L_GE3 MOSFET
產品詳細信息

P 通道 MOSFET，SQ 堅固系列，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 11 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 125 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 46 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數目 1
長度 6.73mm
寬度 6.22mm
典型柵極電荷@Vgs 10 V 時，27 常閉
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
暫無

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