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Vishay SQJ960EP-T1_GE3 MOSFET

訂 貨 號:SQJ960EP-T1_GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

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Vishay SQJ960EP-T1_GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

雙 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 8 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 PowerPAK SO
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 84 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 34 W
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
長度 5.25mm
典型柵極電荷@Vgs 13 nC @ 10 V
寬度 4.47mm
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無

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