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產(chǎn)品分類

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Infineon IRFR5305TRLPBF MOSFET

訂 貨 號:IRFR5305TRLPBF      品牌:國際整流器_IR

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

品牌商價:¥0.00

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Infineon IRFR5305TRLPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V

Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線封裝的P通道器件,以及可應(yīng)對幾乎所有電路板布局和散熱設(shè)計難題的外形尺寸。在整個系列內(nèi),電阻基準(zhǔn)降低了傳導(dǎo)損耗,使設(shè)計人員能夠提供最佳的系統(tǒng)效率。

Infineon IRFR5305 是 55V 單 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET ,采用 D-Pak 封裝。D-Pak 設(shè)計用于使用汽相,紅外或波焊技術(shù)進行表面安裝。

Advanced 工藝技術(shù)
快速切換
完全耐雪崩等級
無導(dǎo)線

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 31 A
最大漏源電壓 55 V
封裝類型 D-PAK
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 65 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 110 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 7.49mm
長度 6.73mm
典型柵極電荷@Vgs 63 nC @ 10 V
最高工作溫度 +175 °C
暫無

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