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Vishay SIHB053N60E-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIHB053N60E-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SIHB053N60E-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay Siliconix 維護(hù)半導(dǎo)體技術(shù)的可靠性數(shù)據(jù),封裝可靠性代表所有合格位置的復(fù)合。

第 4 代 E 系列技術(shù)
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Co (er))
減少切換和傳導(dǎo)損耗
雪崩能量等級 (UIS)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 47 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 TO-263
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.054 Ω
最大柵閾值電壓 5V
暫無

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