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產(chǎn)品分類
分類：
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Infineon IRL60S216 MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRL60S216      品牌：國際整流器_IR

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IRL60S216 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

StrongIRFET? Logic-Level 功率 MOSFET，Infineon

是 Infineon StrongIRFET 系列的擴(kuò)展，針對(duì) +5V 邏輯電平柵極驅(qū)動(dòng)的優(yōu)化。 它們共享與現(xiàn)有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高電路載流量用于提高耐用性和操作可靠性。

最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V
適用于電池供電系統(tǒng)
應(yīng)用范圍：電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、同步整流器系統(tǒng)、OR-ing 和冗余電源開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 298 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 2.2 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.4V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 375 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 10.67mm
晶體管材料 Si
長度 11.33mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 170 nC @ 4.5 V
最高工作溫度 +175 °C
暫無

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