國際整流器的 Infineon p 通道 Advanced 采用先進的處理技術，可在每個硅片區域實現極低的導通電阻。 International Rectifier ，也可在每個硅此優勢為設計人員提供及其高效地設備，用于電池和負載管理應用。Micro6 封裝及其自定義引線框可產生一個采用 rds （接通）的 hex場 ? 功率 mosfet ，比類似尺寸的數目的數目減少 60% 。此封裝特別適用于印刷電路板空間要求嚴格的應用。獨特的熱設計和 rds （接通）減少使電流處理比數量上的數量增加近 300% 。
超低接通電阻
P 溝道 MOSFET
表面安裝
提供帶裝和卷裝
無鉛
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 5.6 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | D2PAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 2 |
| 最大漏源電阻值 | 0.05 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 12V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
