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Vishay SiZF920DT-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SiZF920DT-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Vishay SiZF920DT-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

具有肖特基二極管的雙路 N 通道 30V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
SkyFET? 低側(cè) MOSFET,集成了肖特基


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 197 (信道 2 ) A , 76 (信道 1 ) A
最大漏源電壓 30 (通道 1 ) V , 30 (通道 2 ) V
封裝類型 PowerPair 6x5f
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.0014 ( Ω 2 ) μ a 、 0.005 (通道 1 ) Ω μ a
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.2 (Channel 2) V, 2.4 (Channel 1) V
最小柵閾值電壓 1.1 (Channel 1) V, 1.1 (Channel 2) V
最大功率耗散 28 w 、 74 w
晶體管配置 雙路
最大柵源電壓 +16 v 、 +20 v 、 -12 v 、 -16 v
每片芯片元件數(shù)目 2
寬度 5.1mm
典型柵極電荷@Vgs 19nc @ 15v (通道 1 ), 83nc @ 15v (通道 2 )
長度 6.1mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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