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Vishay SiSHA14DN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SiSHA14DN-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Vishay SiSHA14DN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 30V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 20 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 PowerPak 1212-SH
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 8 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.2V
最小柵閾值電壓 1.1V
最大功率耗散 26.5 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -16 V,+20 V
寬度 3.3mm
長度 3.3mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 19.4 常開 @10 伏
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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