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訂 貨 號(hào):SISS60DN-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
具有肖特基二極管的 N 通道 30V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
具有單片肖特基二極管的 SkyFET ?
優(yōu)化的 RDS x QG 和 RDS x QGD FOM 可提高高頻切換的效率
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 181.8 a. |
最大漏源電壓 | 30 V |
封裝類型 | PowerPak 1212-S |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 8 |
最大漏源電阻值 | 2.01 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
最小柵閾值電壓 | 1V |
最大功率耗散 | 65.8 瓦 |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | -12 V、+16 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
寬度 | 3.3mm |
最高工作溫度 | +150 °C |
長(zhǎng)度 | 3.3mm |
典型柵極電荷@Vgs | 57 nC @ 10 V |