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+比較

Vishay SISS60DN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SISS60DN-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SISS60DN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

具有肖特基二極管的 N 通道 30V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
具有單片肖特基二極管的 SkyFET ?
優(yōu)化的 RDS x QG 和 RDS x QGD FOM 可提高高頻切換的效率


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 181.8 a.
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 PowerPak 1212-S
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 2.01 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 65.8 瓦
晶體管配置
最大柵源電壓 -12 V、+16 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 3.3mm
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 3.3mm
典型柵極電荷@Vgs 57 nC @ 10 V
暫無

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