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Infineon IRF6708S2TR1PBF MOSFET

訂 貨 號:IRF6708S2TR1PBF      品牌:國際整流器_IR

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Infineon IRF6708S2TR1PBF MOSFET
產品詳細信息

DirectFET? 功率 MOSFET,Infineon

DirectFET? 電源封裝是表面安裝功率 MOSFET 封裝技術。 DirectFET? MOSFET 是先進切換應用中減少能耗同時縮小設計印跡的解決方案。

在各個印跡中均具有行業最低的導通電阻
封裝電阻極低,盡量減少傳導損耗
高效雙面冷卻可顯著提高功率密度、降低成本和增加可靠性
薄型,僅 0.7mm

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 36 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 DirectFET S1
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 4
最大漏源電阻值 14.3 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.35V
最小柵閾值電壓 1.35V
最大功率耗散 20 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長度 3.95mm
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數目 1
寬度 3.95mm
典型柵極電荷@Vgs 6.6 nC @ 4.5 V
暫無

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