Vishay 半導體 SI3493BDV-T1-GE3 是 6 引腳， 20 V ， 8 A ，表面安裝 P 通道 MOSFET ，通常用于負載， PA 和電池開關。
無鹵，符合 IEC 61249-2-21 定義
TrenchFET? 功率 MOSFET
PWM 優化
通過 100 % Rg 測試
符合 RoHS 指令 2002/95/EC
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | P |
| 最大連續漏極電流 | 8 A |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | TSOP6 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 6 |
| 最大漏源電阻值 | 45 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | -0.9V |
| 最小柵閾值電壓 | -0.4V |
| 最大功率耗散 | 2.97 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±8 V |
| 長度 | 3.1mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 29 nC @ 10 V |
| 寬度 | 1.7mm |
