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Vishay SiSS63DN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SiSS63DN-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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Vishay SiSS63DN-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay SiSS63DN od-s4d-s3 T1 是 p 溝道 20V ( d-s ) mosfet 。 GE3

TrenchFET? Gen III P 通道功率 MOSFET
領(lǐng)先的 rds (接通)、采用緊湊型和熱增強(qiáng)型封裝
經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 127.5 a
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 Powerpak 1212-1e 8S
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.007 Ω 、 0.0027 Ω 、 0.0036 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.5V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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