Infineon 單 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET 采用 DirectFET L8 封裝，可實現高達 Tjmax 的重復雪崩。 它具有快速切換速度和無鉛。
它符合 RoHS 標準且符合 AEC 標準
它具有 175°C 工作溫度
它具有雙面冷卻功能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 545 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | DirectFET |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 15 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0006 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.9V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
