TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
在緊湊型熱增強封裝中實現極低的 RDS(on)
經優化的 Qg、Qgd 和 Qgd/Qgs 比降低了與切換相關的功耗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 60 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | 1212 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 2 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 1.1V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.4V |
| 最大功率耗散 | 65.7 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | -16 V，+20 V |
| 寬度 | 3.15mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 59 nC @ 10 V |
| 長度 | 3.15mm |
