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訂 貨 號(hào):SI2374DS-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Vishay 半導(dǎo)體 SI2374DS-T1-GE3 是 3 引腳, 20 V , 5。9 A ,表面安裝 N 通道 MOSFET 通常用于負(fù)載開關(guān)和電源管理。
無鹵,符合 IEC 61249-2-21 定義
TrenchFET? 功率 MOSFET
通過 100 % Rg 測試
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 5.9 A |
最大漏源電壓 | 20 V |
封裝類型 | SOT-363 |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 41 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 1V |
最小柵閾值電壓 | 0.4V |
最大功率耗散 | 1.7 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±8 V |
典型柵極電荷@Vgs | 13.4 nC @ 10 V |
寬度 | 1.4mm |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
長度 | 3.04mm |