Infineon 最新 60 v 強的 rfet 功率 mosfet 設備經過優化、適用于高電流和低 rds （接通）、使其成為高電流電池供電應用的理想解決方案。
低 RDS（接通）
高電流容量
工業標準封裝包
柔性引腳輸出
經優化可用于 10 v 柵極驅動
減少傳導損耗
功率密度增加
替換現有設備
提供設計靈活性
在嘈雜環境中提供防偽開啟功能
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 363 a |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | Pg － TO263 － 7 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00095 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.7V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
