Vishay SISS50DN od-s1-d3 T1 mosfet 是 GE3 （ 45V ） mosfet 。
TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
在緊湊型熱增強封裝中實現極低的 RDS(on)
經優化的 Qg、Qgd 和 Qgd/Qgs 比降低了與切換相關的功耗
經過 100 % Rg 和 UIS 測試
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 108 A |
| 最大漏源電壓 | 45 V |
| 封裝類型 | Powerpak 1212-1e 8S |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0041 Ω 、 0.00283 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 2.3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
