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產(chǎn)品分類(lèi)

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Vishay Siliconix SiZ348DT-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SiZ348DT-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay Siliconix SiZ348DT-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

TrenchFET? Gen IV power MOSFET
High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle
Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 30 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類(lèi)型 PowerPAIR 3 x 3
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 10 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1V
最小柵閾值電壓 2.4V
最大功率耗散 16.7 W
最大柵源電壓 -16 V,+20 V
每片芯片元件數(shù)目 2
最高工作溫度 +150 °C
寬度 3mm
長(zhǎng)度 3mm
典型柵極電荷@Vgs 12.1 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
暫無(wú)

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