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威世 SIA817EDJ-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SIA817EDJ-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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威世 SIA817EDJ-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay SIA817EDJ 是 P 通道 MOSFET ,帶肖特基二極管,具有 -30V 的漏極到源 (VDS) 電壓。它具有雙路加集成肖特基配置。柵極到源電壓 (VGS) 為 12 伏。它采用 POWER PAK SC-70 封裝。它提供漏極到源電阻 (RDS)。 10VGS 時(shí)為 0.065 歐姆, 4.5VGS 時(shí)為 0.008 歐姆。最大漏極電流 -4.5A。

小腳加肖特基功率 MOSFET
熱增強(qiáng)型 Power PAK SC-70 封裝小尺寸區(qū)域,低接通電阻,薄型 0.75 mm
典型 ESD 保護(hù) (MOSFET) : 1500 V (HBM)


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