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Infineon IMW120R030M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號:IMW120R030M1HXKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IMW120R030M1HXKSA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon IMW120R030M1HXKSA1 MOSFET 與傳統基于硅 (Si) 的開關 (如 IGBT 和 MOSFET) 相比, SiC MOSFET 具有一系列優勢。這些包括 1200 V 開關中的最低柵極電荷和器件電容水平,內部防換向主體二極管無反向恢復損耗,溫度獨立的低切換損耗和無閾值通態特性。

非常低的切換損耗
無閾值開啟狀態特性
寬柵源電壓范圍
基準柵極閾值電壓, VGS (th) = 4.5 V
0V 關閉柵極電壓,用于輕松簡單的柵極驅動
完全可控制 dV/dt
堅固的主體二極管,用于硬換向
溫度無關的關閉開關損耗


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 56 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 PG-TO247-3
安裝類型 通孔
暫無

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