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Vishay SiZ250DT-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SiZ250DT-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價:¥0.00

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公司基本資料信息







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Vishay SiZ250DT-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay SiZ250DT T1 60V 是雙 n 溝道 GE3 ( d-s )高電阻器。

TrenchFET? 第四代功率 MOSFET
經(jīng)過 100 % Rg 和 UIS 測試
優(yōu)化的 qgs/qgs 比可提高切換性能
特點


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 38 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 Powerpir 3 x 3FDC
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 0.0122 Ω 、 0.0127 Ω 、 0.01811 Ω 、 0.01887 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.4V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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