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訂 貨 號:SIHD186N60EF-GE3 品牌:威世_Vishay
庫存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
具有快速主體二極管的 EF 系列功率 MOSFET 。
第四代 E 系列技術(shù)
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容( CO ( ER ))
應(yīng)用
服務(wù)器和電信電源
開關(guān)模式電源 (SMPS)
功率因數(shù)校正電源 (PFC)
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 19 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | DPAK (TO-252) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 3 |
最大漏源電阻值 | 201 mΩ |
通道模式 | 增強(qiáng) |
最大柵閾值電壓 | 5V |
最小柵閾值電壓 | 3V |
最大功率耗散 | 156 W |
晶體管配置 | 單 |
最大柵源電壓 | ±30 V |
典型柵極電荷@Vgs | 21 nC @ 10 V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
最高工作溫度 | +150 °C |
長度 | 6.73mm |
寬度 | 6.22mm |