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Vishay SIHD186N60EF-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIHD186N60EF-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SIHD186N60EF-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

具有快速主體二極管的 EF 系列功率 MOSFET 。

第四代 E 系列技術(shù)
低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容( CO ( ER ))
應(yīng)用
服務(wù)器和電信電源
開關(guān)模式電源 (SMPS)
功率因數(shù)校正電源 (PFC)


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 19 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 201 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5V
最小柵閾值電壓 3V
最大功率耗散 156 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
典型柵極電荷@Vgs 21 nC @ 10 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
長度 6.73mm
寬度 6.22mm
暫無

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