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Vishay SIHD11N80AE-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號：SIHD11N80AE-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫存數量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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Vishay SIHD11N80AE-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

Vishay E 系列功率 MOSFET 可減少開關和傳導損耗。

低品質因數 (FOM) Ron x Qg
低有效電容 (Co (er))


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 8 A
最大漏源電壓 850 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 0.45. Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
每片芯片元件數目 4
晶體管材料 Si
暫無

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