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產(chǎn)品分類

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+比較

Vishay SIHB21N80AE-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào):SIHB21N80AE-GE3      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay SIHB21N80AE-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay e 系列功率 mosfet 采用 D2PAK (圖 263 )封裝類型、帶 17.4 a 漏極電流。

低品質(zhì)因數(shù) (FOM) Ron x Qg
低有效電容( co ( er ))
減少切換和傳導(dǎo)損耗
雪崩能量等級(jí)( uis )


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 17.4 A
最大漏源電壓 800 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.205. Ω
最大柵閾值電壓 2 → 4V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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