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Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 MOSFET

訂 貨 號：SQS966ENW-T1_GE3      品牌：威世_Vishay

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Vishay Siliconix SQS966ENW-T1_GE3 MOSFET
產品詳細信息

TrenchFET? 功率 MOSFET


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 6 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 1212
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 60 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 27.8 W
最大柵源電壓 ±20 V
最高工作溫度 +175 °C
長度 3.15mm
晶體管材料 Si
每片芯片元件數目 2
寬度 3.15mm
典型柵極電荷@Vgs 6.2 nC @ 10 V
暫無

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