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產(chǎn)品分類

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威世 SI2300DS-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SI2300DS-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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威世 SI2300DS-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 N 溝道 MOSFET 是一種新時(shí)代的產(chǎn)品,在 4.5V 的柵極源電壓下,漏極源電阻為 68mohm。它的最大柵極源電壓為 12V ,漏極源電壓為 30V。MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 2.5V 和 4.5V。它具有 3.6A 的連續(xù)漏極電流和 1.7W 的最大功耗。 MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢

? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

應(yīng)用

?用于便攜式設(shè)備的直流 - 直流轉(zhuǎn)換器
?負(fù)載開關(guān)

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC 61249-2-21
?經(jīng)過 RG 測試


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 3.6 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 SOT-23
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.068 O
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 1.5V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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