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Microchip TN0110N3-G MOSFET

訂 貨 號：TN0110N3-G      品牌：Microchip

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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公司基本資料信息







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Microchip TN0110N3-G MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

這款低閾值增強型（常閉）晶體管采用垂直 DMOS 結構和久經(jīng)考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關和放大應用。

低閾值 - 2.0 V（最大值）
高輸入阻抗
低輸入電容 - 50 pF（典型值）
切換速度快
低接通電阻
無次級擊穿
低輸入和輸出泄漏


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 350 mA
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 TO-92
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 4.5 Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2V
最小柵閾值電壓 0.6V
最大功率耗散 1 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 4.06mm
最高工作溫度 +150 °C
長度 5.08mm
暫無

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