英飛凌 650 V CoolMOS? CFD7 超結 MOSFET 采用 ThinPAK 8x8 封裝，特別適合工業應用中的諧振拓撲，如服務器、電信、太陽能和電動汽車充電站，相比競品效率顯著提高。作為 CFD2 SJ MOSFET 系列的繼承者，它的柵電荷更少、關閉行為得到改善、反向恢復電荷更少以及額外 50 V 擊穿電壓，可實現最高效率和功率密度。
相比競品，顯著降低切換損耗
額外安全余量，增加母線電壓
工業 SMPS 應用中，全負載效率更高
高功率密度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 21 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | ThinPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
