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產(chǎn)品分類

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Vishay SQ2337ES-T1_GE3 MOSFET

訂 貨 號:SQ2337ES-T1_GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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Vishay SQ2337ES-T1_GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝 P 溝道 MOSFET 是一種新時代的產(chǎn)品,漏 - 源電壓為 80V ,最大柵 - 源電壓為 20V。在 4.5V 的柵極源電壓下,漏極源電阻為 290mohm。它的最大功耗為 3 W ,連續(xù)漏極電流為 2.2 A。此 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動電壓分別為 6V 和 10V。它可用于汽車應用。MOSFET 經(jīng)優(yōu)化可降低開關(guān)和傳導損耗。MOSFET 提供出色的效率以及長且高效的使用壽命,而不會影響性能或功能。

特點和優(yōu)勢

? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 175°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

認證

? AEC-Q101
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
?經(jīng)過 RG 測試
? UIS 測試


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 2.2 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類型 TO-236
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 0.314 O
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.5V
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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