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產(chǎn)品分類
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Vishay SI4900DY-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：SI4900DY-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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公司基本資料信息







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Vishay SI4900DY-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

雙 N 通道 MOSFET，Vishay Semiconductor

MOSFET 晶體管，Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 4.3 A
最大漏源電壓 60 V
封裝類型 SOIC
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 58 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 2 W
晶體管配置 隔離式
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
長(zhǎng)度 5mm
典型柵極電荷@Vgs 13 nC @ 10 V
寬度 4mm
每片芯片元件數(shù)目 2
暫無(wú)

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