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威世硅尼克斯 SQJ431AEP-T1_GE3 MOSFET

訂 貨 號：SQJ431AEP-T1_GE3      品牌：威世_Vishay

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威世硅尼克斯 SQJ431AEP-T1_GE3 MOSFET
產品詳細信息

TrenchFET? power MOSFET


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 9.4 A
最大漏源電壓 200 V
封裝類型 SO-8
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 760 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2.5V
最大功率耗散 68 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
典型柵極電荷@Vgs 55 nC @ 10 V
每片芯片元件數目 1
長度 5.99mm
寬度 5mm
最高工作溫度 +175 °C
晶體管材料 Si
暫無

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