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Infineon IMZA65R039M1HXKSA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IMZA65R039M1HXKSA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IMZA65R039M1HXKSA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon 具有 SiC MOSFET ,以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經(jīng)濟(jì)高效的性能。CoolSiC MOSFET 技術(shù)利用了碳化硅的強(qiáng)大物理特性,增加了獨(dú)特的功能,可提高設(shè)備的性能,堅(jiān)固性和易用性。MOSFET 650V 基于最先進(jìn)的溝道半導(dǎo)體構(gòu)建,經(jīng)過優(yōu)化可在應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低損耗和最高操作可靠性方面不受影響。

低電容
優(yōu)化了高電流時(shí)的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強(qiáng)的耐雪崩能力
可與標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)程序一起使用


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 50 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類型 PG-TO247
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 0.05 Ω
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5.7V
晶體管材料
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無

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