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Infineon IRL7472L1TRPBF MOSFET

訂 貨 號(hào):IRL7472L1TRPBF      品牌:國際整流器_IR

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IRL7472L1TRPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

StrongIRFET? 功率 MOSFET,Infineon

Infineon 的 StrongIRFE 系列經(jīng)過優(yōu)化,RDS(接通)低且載流能力高。 此組合提供更高的柵極、雪崩和動(dòng)態(tài) dv/dt 耐受性,特別適用于性能和強(qiáng)健性非常重要的工業(yè)低頻應(yīng)用,包括電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)工具、逆變器和電池管理。

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 645 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 L8
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 9 + Tab
最大漏源電阻值 700 μΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 341 W
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 7.1mm
典型柵極電荷@Vgs 220 nC @ 4.5 V
長度 9.15mm
最高工作溫度 +175 °C
暫無

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