為了提高效率、功率密度和成本效益、開發了英飛凌公司的最佳 mos n 通道功率式功率半導體器件。專為高性能應用而設計、并針對高切換頻率進行了優化、因此、這些產品具有業內最佳的品質。現在、作為強大的 irfet 的補充、該產品組合提供了一個真正強大的組合。得益于強大的 irfet 功率極高的器件和出色的性價比以及杰出的最佳的技術。兩個產品系列都能滿足高品質標準和性能要求。該接合產品組合涵蓋 12V 至 300V 的電壓、可滿足從低到高切換頻率的各種需求、如開關電源、電池供電應用、電動機控制和驅動器、變頻器和計算。
行業領先的質量
4.5V VGS 時低 RDS（接通）
完全雪崩電壓和電流特征
超低柵極阻抗
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 86 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | DPAK |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.0065 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 20V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
