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Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1 MOSFET

訂 貨 號：FF6MR12W2M1B11BOMA1      品牌：英飛凌_Infineon

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Infineon FF6MR12W2M1B11BOMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 6 mo 、 1200 v 半橋模塊采用碳化硅 mosfet 、具有 ntc 溫度傳感器和壓配觸點技術。它還提供熱接口材料。

高電流密度
低電感設計
低切換損耗
符合 rohs 標準的模塊


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 200 A
最大漏源電壓 1200 V
封裝類型 Easy 2B ? / 模塊
引腳數目 35
最大漏源電阻值 0.00825 Ω μ m
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 5.55V
每片芯片元件數目 2
晶體管材料 SiC
暫無

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