Vishay SIA931DJ 是雙 P 溝道 MOSFET ,漏極至源電壓 (VDS) 為 -30V。 柵極至源電壓 (VGS) 為 20V。它采用 Power PAK SC-70 封裝。它提供漏極到源電阻 (RDS)。 10VGS 時為 0.065 歐姆, 6VGS 時為 0.008 歐姆。最大漏極電流 -4.5A。
Trench FET Gen III 功率 MOSFET
熱增強(qiáng)型 Power PAK SC-70 封裝,占地面積小,具有低接通電阻
經(jīng)過 100 % Rg 測試