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產(chǎn)品分類(lèi)
分類(lèi)：
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Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號(hào)：Si2319DDS-T1-GE3      品牌：威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay Siliconix Si2319DDS-T1-GE3 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

TrenchFET? Gen III p-channel power MOSFET


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 P
最大連續(xù)漏極電流 3.6 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類(lèi)型 SOT-23
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 100 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 2.5V
最小柵閾值電壓 1V
最大功率耗散 1.7 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 ±20 V
最高工作溫度 +150 °C
寬度 1.4mm
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
長(zhǎng)度 3.04mm
典型柵極電荷@Vgs 12.5 nC @ 10 V
暫無(wú)

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