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Infineon IPDD60R190G7XTMA1 MOSFET

訂 貨 號:IPDD60R190G7XTMA1      品牌:英飛凌_Infineon

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Infineon IPDD60R190G7XTMA1 MOSFET
產品詳細信息

Infineon 技術引入了雙 dak (ddpack) ,這是首款頂部冷卻表面安裝設備 (smd )封裝,適用于 pc 電源、太陽能、服務器和電信等高功率開關電源應用。現有的高電壓技術 600V coolmos ? G7 超接點( sj ) mosfet 的優勢與創新的頂部冷卻概念相結合,為高電流硬切換拓撲(如 pfc )提供系統解決方案,并為 llc 拓撲提供高端效率解決方案。

實現最高能效
板和半導體的熱去耦可克服熱印刷電路板限制
寄生源電感降低、提高效率和易用性
支持更高的功率密度解決方案
高品質標準


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 13 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 DDPAK
引腳數目 10
最大漏源電阻值 190 米Ω
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 4V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數目 1
暫無

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