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產(chǎn)品分類(lèi)

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Infineon IPD65R1K0CEAUMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPD65R1K0CEAUMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPD65R1K0CEAUMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

the Infineon coolmos 是一項(xiàng)革命性的高電壓功率功率功率半導(dǎo)體技術(shù)、它根據(jù)超接線(xiàn)( sj )原理設(shè)計(jì)、由 Infineon 技術(shù)開(kāi)創(chuàng)。coolmos ce 是一款性?xún)r(jià)比優(yōu)化的平臺(tái)、能夠通過(guò)仍然符合最高效率標(biāo)準(zhǔn)、針對(duì)消費(fèi)和照明市場(chǎng)中的成本敏感型應(yīng)用。新系列提供快速切換超級(jí)結(jié) mosfet 的所有優(yōu)點(diǎn)、同時(shí)不會(huì)降低使用便利性、并提供市場(chǎng)上提供的最佳性?xún)r(jià)比。

易于使用 / 驅(qū)動(dòng)
非常高的換向堅(jiān)固性
適用于標(biāo)準(zhǔn)等級(jí)應(yīng)用


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 7.2 A
最大漏源電壓 650 V
封裝類(lèi)型 Pg - to 252.
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 1 o
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
晶體管材料 Si
每片芯片元件數(shù)目 1
暫無(wú)

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