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Vishay SI5515CDC-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SI5515CDC-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

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Vishay SI5515CDC-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

Vishay MOSFET

Vishay 表面安裝雙通道 (P 和 N 通道) MOSFET 是一種新時代的產品,漏極源電壓為 20V ,漏極源電阻為 36mohm ,柵極源電壓為 4.5V。最大額定功率為 3.1W。 MOSFET 具有 4A 的連續漏極電流。它適用于便攜式設備的負載開關。MOSFET 經過優化,可降低開關和傳導損耗。

特點和優勢

? 無鹵素
?無鉛 (Pb)
?工作溫度范圍 -55°C 至 150°C
? TrenchFET 功率 MOSFET

認證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC 61249-2-21
?經過 RG 測試


屬性 數值
通道類型 N,P
最大連續漏極電流 4 A
最大漏源電壓 20 V
封裝類型 1206
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 0.05 O , 0.156 O
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 0.8V
每片芯片元件數目 2
暫無

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