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Infineon IPD19DP10NMATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPD19DP10NMATMA1      品牌:英飛凌_Infineon

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPD19DP10NMATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS ? P 通道 MOSFET 100V 采用 DPAK 封裝,是專為電池管理,負(fù)載開關(guān)和極性反接保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計(jì)的新技術(shù)。P 溝道設(shè)備的主要優(yōu)點(diǎn)是降低了中,低功率應(yīng)用中的設(shè)計(jì)復(fù)雜性。它可輕松連接到 MCU ,快速切換以及雪崩堅(jiān)固性,使其適用于高質(zhì)量要求苛刻的應(yīng)用。它提供具有寬 RDS (接通) 范圍的正常電平,并且由于 Qg 低,可提高低負(fù)載時(shí)的效率。它可用于電池管理,工業(yè)自動(dòng)化。

提供 4 種不同的封裝
范圍廣泛
正常級(jí)別和邏輯級(jí)別可用性
特別適用于高和低切換頻率
易于連接到 MCU
低設(shè)計(jì)復(fù)雜性


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 13.7 A
最大漏源電壓 100 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
暫無

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