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威世硅尼克斯 SiSH129DN-T1-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SiSH129DN-T1-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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威世硅尼克斯 SiSH129DN-T1-GE3 MOSFET
產品詳細信息

特點
TrenchFET? 功率 MOSFET
低熱阻 PowerPAK?
小尺寸封裝
應用
負載開關
適配器開關
筆記本電腦


屬性 數值
通道類型 P
最大連續漏極電流 35 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 1212
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 8
最大漏源電阻值 20 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.8V
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 52.1 W
晶體管配置
最大柵源電壓 ±20 V
長度 3.15mm
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
每片芯片元件數目 1
寬度 3.15mm
典型柵極電荷@Vgs 47.5 nC @ 10 V
暫無

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