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Vishay SIHB30N60E-GE3 MOSFET

訂 貨 號:SIHB30N60E-GE3      品牌:威世_Vishay

庫存數量:10             品牌屬性:進口

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Vishay SIHB30N60E-GE3 MOSFET
產品詳細信息

N 通道 MOSFET,E 系列,低品質因數,Vishay Semiconductor

Vishay E 系列 MOSFET 電源是高電壓晶體管,具有超低最大接通電阻、低靈敏值和快速切換功能。 它們提供各種電流額定值。 典型應用包括服務器和電信電源、LED 照明、回掃轉換器、功率因數校正 (PFC) 和開關模式電源 (SMPS)。

特點

低靈敏值 (FOM) RDS(on) x Qg
低輸入電容 (Ciss)
低接通電阻(RDS(接通))
超低柵極電荷 (Qg)
快速切換
減少切換和傳導損耗

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數值
通道類型 N
最大連續漏極電流 29 A
最大漏源電壓 600 V
封裝類型 D2PAK (TO-263)
安裝類型 表面貼裝
引腳數目 3
最大漏源電阻值 125 mΩ
通道模式 增強
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 250 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數目 1
最高工作溫度 +150 °C
長度 10.67mm
寬度 9.65mm
典型柵極電荷@Vgs 85 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
暫無

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