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Infineon ISZ0804NLSATMA1 MOSFET

訂貨號：ISZ0804NLSATMA1 品牌：英飛凌_Infineon

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進口

品牌商價：￥0.00

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Infineon ISZ0804NLSATMA1 MOSFET

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Infineon 的 OptiMOS PD 功率 MOSFET 100 V 專為 USB-PD 和適配器應用而設計。它的 PQFN 3.3x3.3 封裝提供快速上升和優(yōu)化的交付時間。用于功率輸送的 OptiMOS 低壓 MOSFET 使設計能夠減少部件，從而降低 BOM 成本。OptiMOS PD 采用緊湊輕便的封裝，提供優(yōu)質(zhì)產(chǎn)品。

邏輯級別可用性
極佳的熱行為
通過 100% 雪崩測試

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	58 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	PQFN 3.3 x 3.3
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	0.0115 O ， 0.0155 O
最大柵閾值電壓	2.3V
晶體管材料	Si
每片芯片元件數(shù)目	1

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