Infineon 600V coolmos ? C7 超結(jié)( sj ) mosfet 系列的關(guān)閉損耗( e oss )比 coolmos ? cp 減少 ~50% ,在 pfc 、 ttf 和其他硬切換拓撲結(jié)構(gòu)中提供卓越的性能水平。IPL60R185C7 還是高功率密度充電器設計的完美匹配。
減小開關(guān)損耗參數(shù),如 Q G、C oss、E oss
同類最佳的品質(zhì)因數(shù) Q G*R DS(接通)
增加切換頻率
全球最佳的 R(接通)*A
堅固的體二極管
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 29 A |
最大漏源電壓 | 600 V |
封裝類型 | Thinpak 8x8 |
引腳數(shù)目 | 5 |
最大漏源電阻值 | 65 米Ω |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 4.5V |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |
晶體管材料 | Si |