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Infineon IPD60R600E6BTMA1 MOSFET

訂貨號：IPD60R600E6BTMA1 品牌：英飛凌_Infineon

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MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標準的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	7.3 A
最大漏源電壓	650 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	600 mΩ
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	3.5V
最小柵閾值電壓	2.5V
最大功率耗散	63 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
典型柵極電荷@Vgs	20.5 nC @ 10 V
長度	6.73mm
每片芯片元件數(shù)目	1
最高工作溫度	+150 °C
晶體管材料	Si
寬度	6.22mm

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